主题：金刚石材料与器件研究进展
主讲：朱天飞（西安交通大学）
时间：2024年4月17日（星期三）14：30—16：30
地点：化学实验楼311
主办：化学化工学院
摘要：金刚石具有优异的力、热、光和电学性能，可用于开发高温、高频、高效、大功率、抗辐照等半导体器件，将大幅度提升系统综合性能指标、解决系统小型化、轻量化、可靠性和长寿命，以及环境适应性等诸多瓶颈问题，将带来一次半导体器件的深刻革命。本报告系统性介绍金刚石材料生长情况。利用半导体技术在金刚石上制备纳米柱和微透镜阵列结构，及其在单光子源和高通量光束整形等应用的研究成果。同时介绍金刚石电子器件开发的国内外发展动态和团队研究结果。
报告人简介：朱天飞，西安交通大学电信学部副研究员，研究生导师，2019年获西安交通大学博士学位。其研究主要专注于大面积单晶金刚石生长和微纳加工，以及金刚石器件如光学、热沉、光电和功率器件应用技术研究，包括金刚石MPCVD生长，金刚石微透镜、纳米柱阵列和微通道等微纳结构制备，及其在光束匀质、NV色心和热沉中应用研究。还包括金刚石紫外光电探测器、肖特基二极管和场效应晶体管等研究。以第一作者或通信作者发表相关论文10余篇，包括Optics Express, IEEE Electron Device Letters,Diamond and Related Materials等期刊。获得国家发明专利4件。主持项目包括国家级项目总共7项。以骨干成员参与多项国家重大及横向项目，总研究经费达1000余万元。
